本书根据教育部新的课程改革要求，在已取得多项教学改革成果的基础上进行编写。内容主要包括半导体物理与晶体管原理两部分，其中，第1章介绍半导体特性，第2～3章系统阐述PN结和双极晶体管及其特性，第4～5章系统阐述半导体的表面特性和MOS型晶体管，第6章介绍其他常用的半导体器件。全书结合高等职业院校的教学特点和集成电路类专业

本书针对硅基集成衍射光学神经网络(DONN)高集成度、高计算容量以及计算单元大规模拓展等关键科学问题展开系统研究,取得了创新性研究成果。具体包括硅基集成DONN的理论探索、结构设计、仿真计算以及芯片制造、封装、测试和实验系统误差补偿等方面工作。本书共分为五章,第一章介绍了神经网络的发展条件及现阶段存在的算力瓶颈。第二章

本书结合多年教学实践，从基础性、实用性和先进性出发，以“理论-器件-应用”为脉络，系统阐述了半导体光电子学的基础理论及相关器件。介绍了半导体物理基础，讨论了半导体中光子和电子相互作用、光能和电能相互转换，详细介绍了半导体光源、光放大器和光电探测器的结构、基本原理、特性、应用及设计案例。全书共分7章，主要内容包括：半导体

本书以作者近年来的研究成果为基础,结合国内外研究进展,系统地介绍超宽禁带半导体金刚石单晶材料的同质外延研究进展及发展趋势。在高质量单晶金刚石材料生长基础上,进一步介绍金刚石场效应晶体管及在反相器和整流电路中的应用,对于后续的相关领域的研究人员有着重要的参考价值。全书共7章,内容包括绪论、单晶金刚石材料同质外延及加工、金

本书系统梳理了玻璃通孔技术从基础材料到封装应用的全链路知识体系。在材料层面,重点介绍了玻璃的制造工艺、基本特性及其电学性能;在关键工艺方面,阐述了玻璃通孔的加工、金属填充与表面布线技术;在封装应用部分,涵盖了玻璃转接板、玻璃基埋人式扇出型封装、集成无源器件及光电共封装等前沿技术。

超陡亚阈值斜率晶体管是后摩尔时代实现低功耗集成电路的主要技术途径。本书围绕超陡亚阈值斜率晶体管的工作原理、电学特性、紧凑建模及实验制备等方面展开介绍，共七章。第一章概述晶体管与集成电路的发展历史、超陡亚阈值斜率晶体管的研究现状和面临挑战等。第二章介绍环栅负电容隧穿场效应晶体管的解析模型和工作原理等。第三章重点分析硅基多

本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理，从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发，系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管（功率PIN二极管、功率SBD、MPS）、功率晶体管（功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT）、普通晶闸管及其派生

本书是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结，内容包括微波网络信号矩阵技术和微波网络噪声矩阵技术，以及以此为基础的微波射频高电子迁移率晶体管建模和测试技术。

本书系统地介绍了碳化硅MOSFET在应用中的关键技术要领及核心问题，重点在于碳化硅MOSFET的封装、特性及测试和驱动，具体内容包括碳化硅器件概述、功率器件封装基础、静动态特性、短路及串并联特性、应用问题及解决方法、栅极驱动和新型栅极驱动等内容。本书内容设置注重前后知识的衔接和逻辑关系，构建系统性知识框架。书中内容主要

本书内容涵盖了数学、量子力学和能带理论等半导体材料与器件知识的理论准备，半导体材料和器件的基本概念、规律，以及半导体材料与器件的知识应用，力求从理论基础到实际应用，为读者提供全面而深入的知识体系。